» دوربینی با قابلیت ثبت تصاویر زوایایی که نمی‌توان با چشم دید ( 1393/04/14 )
» سایت هایی که همه نیاز دارند – از خرید شارژ تا تست سرعت اینترنت!! ( 1393/03/30 )
» کیبرد مجازی i.Tech ( 1393/03/30 )
» معرفی 5 سایت برای مشاهده رایگان و آنلاین جام جهانی 2014. ( 1393/03/30 )
» آموزش جامع و بسیار ساده روت کردن تمام گوشی ها و تبلت های اندرویدی ( 1393/03/30 )
» رفع مشکل باز نشدن فیسبوک در بعضی از سیستم ها با سیسکو یا کریو ( 1393/03/30 )
» دانلود آهنگ های بزار تو حال خودم باشم و پسر بد از جعفر!! ( 1393/03/28 )
» گوگل پلی برای کاربران ایرانی آزاد شد. ( 1393/03/28 )
سبحان بدیعی
ايميل : ss.badie@gmail.com
آمار
وب سایت:
بازدید دیروز : 2
بازدید هفته : 592
بازدید ماه : 875
بازدید کل : 131808
تعداد مطالب : 378
تعداد نظرات : 2971
تعداد آنلاین : 1
- عکس های خفن
- کتاب نور
- دنیای مطالب
- دنیای مطالب
- کشکول آموزش و اطلاعات عمومی
- ردیاب جی پی اس ماشین
- ارم زوتی z300
- جلو پنجره زوتی
تبادل
لینک هوشمند
برای تبادل
لینک ابتدا ما
را با عنوان
پیش به سوی علم
و آدرس
kavosh91.ir
لینک
نمایید سپس
مشخصات لینک
خود را در زیر
نوشته . در صورت
وجود لینک ما در
سایت شما
لینکتان به طور
خودکار در سایت
ما قرار میگیرد.
تاريخ ارسال : سه شنبه 23 ارديبهشت 1393, 13:57
دسته بندي : <-CategoryName->
نويسنده : سبحان بدیعی
آی‌بی‌ام نسل جدید حافظه‌ها با ۲۷۵ برابر سرعت بیشتر نسبت به SSDها را معرفی کرد
IBM نوع جدیدی از فناوری مرتبط با حافظه‌ها را به نمایش در آورده است که به اعتقاد این کمپانی می‌تواند جایگزین NANDها شود. دانشگاه پاتراس در یونان به آی‌بی‌ام کمک کرده است تا این فناوری را توسعه دهد. این فناوری پتانسیل آن را دارد تا تحولی در حافظه‌های ذخیره‌سازی ایجاد نماید.
درایوهای SSD فعلی از حافظه NAND بهره می‌برند. این نوع از حافظه‌ها جزء سریع‌ترین انواع حافظه‌های ذخیره‌سازی به شمار می‌روند؛ اما حالا آی‌بی‌ام نوع جدیدی از حافظه‌ها را به نمایش درآورده که به شکل خارق‌العاده‌ای سریع‌تر از NANDها قادر به انتقال اطلاعات هستند. در واقع آی‌بی‌ام با همکاری محققین دانشگاه پاتراس موفق شده است تا ترکیبی از تغییر فاز حافظه‌های NAND و DRAM را در یک کنترلر ایجاد کنند و نتیجه آن یک راه‌حل ذخیره‌سازی هیبریداسیون است که بین ۱۲ تا ۲۷۵ برابر سریع‌تر از بهترین حافظه‌های SSD مبتنی بر درگاه PCIe عمل می‌کند.
تغییر فاز حافظه یکی از روش‌های جایگزین برای ساختار حافظه است که پتانسیل جایگزینی NAND را دارند. تغییر فاز حافظه با گرما‌دادن سریع شیشه Chalcognide و تغییر حالت آن بین کریستال و بی‌شکل موجب می‌شود. در حالت بی‌شکل باینری ۰ با مقاومت بسیار بالا و در حالت کریستال باینری ۱ با مقاومت بسیار کم به وجود می‌آید. در این روش تغییر فاز حافظه با سرعت شگفت‌انگیزی انجام می‌شود. همچنین جالب است بدانید که تحقیقات اینتل و مایکرون نشان می‌دهد که در این حالت در هر سل می‌توان دو بیت از اطلاعات را ذخیره نمود.
در روش تغییر فاز، تأخیر به مراتب پایین‌تر از NANDها است و به همین دلیل سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات به شکل قابل ملاحظه‌ای افزایش می‌یابد.
آی‌بی‌ام نام Theseus را برای این پروژه انتخاب کرده است و امیدوار است در آینده بتواند این نوع از حافظه‌ها را جایگزین NANDها کند.
نظرات شما عزیزان:
برچسب‌ها: ibm, dram, sram, نسل جدید حافظه ها, پیش به سوی علم,